3N170 TO-72 4L
工場モデル | 3N170 TO-72 4L |
---|---|
メーカー | Linear Integrated Systems, Inc. |
詳細な説明 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE |
パッケージ | TO-72-4 |
株式 | 15603 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 |
---|
$2.391 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのLinear Integrated Systems, Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。15603のLinear Integrated Systems, Inc. 3N170 TO-72 4Lの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 10µA |
Vgs(最大) | ±35V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-72-4 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 200Ohm @ 100µA, 10V |
電力消費(最大) | 300mW |
パッケージ/ケース | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
運転温度 | -55°C ~ 135°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | - |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 25 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30mA |
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